2SK2847(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | 2SK2847(F) |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 900V 8A TO3PIS |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P(N)IS |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 85W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta) |
Grundproduktnummer | 2SK2847 |
2SK2847(F) Einzelheiten PDF [English] | 2SK2847(F) PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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